推荐的 MOS FET 继电器列表半导体测试设备 (ATE)

许多 MOS FET 继电器用于半导体检测设备，例如信号开关应用。高频信号传输、快速响应、高温兼容性、小型化和高压兼容性是 MOS FET 继电器可提供高效检测的部分应用。请从下面的话题“麻豆找网服未满十八岁请勿入内”观察分析 - yida... ATE JiZZJiZZ成熟丰满熟妇浜推荐格式列表中选择适合您应用的JiZZJiZZ成熟丰满熟妇浜。

低C×R型
高速响应型
高温兼容型
超小型
高电压型
其他

低C×R型

MOS FET 继电器具有低导通电阻和低端间电容，适用于控制高频信号。

点击每种格式规格，了解JiZZJiZZ成熟丰满熟妇浜详情。

负载电压(V)	格式	接点构成	连续负载电流 (mA)	最大输出导通电阻标准（Ω）	输出端子间电容标准（pF）	开路时漏电流最大（nA）	包裹
20	G3VM-21PR10	1a	200	3	0.8	1	USOP4
20	G3VM-21PR1	1a	450	0.6	5	1	USOP4
20	G3VM-21PR11	1a	900	0.18	40	1	USOP4
20	G3VM-21UR10	1a	200	3	0.8	1	VSON4
20	G3VM-21UR1	1a	450	0.8	5	1	VSON4
20	G3VM-21UR11	1a	1000	0.18	40	1	VSON4
40	G3VM-41PR12	1a	100	15	0.3	1	USOP4
40	G3VM-41PR6	1a	120	10	1	0.2	USOP4
40	G3VM-41PR10	1a	120	12	0.45	1	USOP4
40	G3VM-41PR11	1a	140	7	0.7	1	USOP4
40	G3VM-41PR5	1a	300	1	10	1	USOP4
40	G3VM-41UR12	1a	100	15	0.3	1	VSON4
40	G3VM-41UR10	1a	120	12	0.45	1	VSON4
40	G3VM-41UR11	1a	140	5	0.7	1	VSON4
40	G3VM-41UR4	1a	250	2	5	1	VSON4
40	G3VM-41QR10	1a	120	11	0.45	1	S-VSON(L)4
50	G3VM-51PR	1a	300	1	12	1	USOP4
50	G3VM-51UR	1a	300	1	12	1	VSON4
60	G3VM-61QR	1a	400	1.1	12	1000	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QR3	1a	400	1.1	12	1000	S-VSON(L)4
60	G3VM-61YR	1a	400	1.1	12	1000	WSON4

高速响应型

MOS FET 继电器具有较高的运行和返回速度，可缩短检测时间

点击每种格式规格，了解JiZZJiZZ成熟丰满熟妇浜详情。

负载电压(V)	格式	接点构成	连续负载电流 (mA)	动作时间最大 (ms)	复位时间最大 (ms)	包裹
20	G3VM-21PR10	1a	200	0.2	0.2	USOP4
20	G3VM-21UR10	1a	200	0.2	0.2	VSON4
40	G3VM-41PR10	1a	120	0.2	0.3	USOP4
40	G3VM-41PR11	1a	140	0.2	0.2	USOP4
40	G3VM-41PR12	1a	100	0.2	0.2	USOP4
40	G3VM-41PR6	1a	120	0.2	0.3	USOP4
40	G3VM-41QR10	1a	120	0.2	0.3	S-VSON(L)4
40	G3VM-41UR10	1a	120	0.2	0.3	VSON4
40	G3VM-41UR11	1a	140	0.2	0.2	VSON4
40	G3VM-41UR12	1a	100	0.2	0.2	VSON4
60	G3VM-61PR1	1a	120	0.2	0.2	USOP4
60	G3VM-61QR3	1a	400	0.25(0.13)*	0.2(0.2)*	S-VSON(L)4
60	G3VM-61UR1	1a	120	0.2	0.2	VSON4
60	G3VM-61YR	1a	400	0.25(0.2)*	0.2(0.2)*	WSON4

＊在 If=5mA、RL=200Ω、VDD=20V 的情况下。括号（）中的数字为 If=10mA、RL=200Ω、VDD=20V 时的情况。

高温兼容型

MOSFET 继电器既可用于功率半导体等设备的高温测试，又能在高密度安装过程中抵御升温。

点击每种格式规格，了解JiZZJiZZ成熟丰满熟妇浜详情。

负载电压(V)	格式	接点构成	连续负载电流 (mA)	使用环境温度最大（℃）	包裹
30	G3VM-31QV2H	1a	1500	125	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV3H	1a	1000	125	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV3L	1a	400	125	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV4H	1a	400	125	S-VSON(L)4

超小型

MOS FET 继电器结构紧凑、重量轻，适合在电路板上进行多点或高密度安装。

点击每种格式规格，了解JiZZJiZZ成熟丰满熟妇浜详情。

负载电压(V)	格式	接点构成	连续负载电流 (mA)	长度（mm）	宽度（mm）	高度（mm）	重量（mm）	包裹
30	G3VM-31QR	1a	1300	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
30	G3VM-31QVH	1a	1500	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
30	G3VM-31QVL	1a	1500	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
30	G3VM-31QV2H	1a	1500	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
40	G3VM-41QR10	1a	120	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61YR	1a	400	2	1.45	0.8	0.01	WSON4
60	G3VM-61QR	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QR3	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QR2	1a	1000	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QVH	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV2H	1a	1000	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV2L	1a	1000	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV3H	1a	1000	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV3L	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV4H	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
100	G3VM-101QR1	1a	650	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4

高电压型

MOS FET 继电器适用于功率半导体等的高压测试。

点击每种格式规格，了解JiZZJiZZ成熟丰满熟妇浜详情。

负载电压(V)	格式	接点构成	连续负载电流 (mA)	包裹
600	G3VM-601AY1/601DY1	1a	90	DIP4
600	G3VM-601AY2/601DY2	1a	90	DIP4
600	G3VM-601CR/601FR	1a	600	DIP8
600	G3VM-601G	1a	90	SOP4
600	G3VM-601G1	1a	70	SOP4

其他

以上是我们 MOS FET 继电器JiZZJiZZ成熟丰满熟妇浜系列中的部分型号。如果您需要不同的型号，请使用下面的参数搜索来选择符合您规格的格式。

转到参数搜索 MOS FET继电器

服务中心eService

通过咨询表进行咨询

推荐的 MOS FET 继电器列表 半导体测试设备 (ATE)

低C×R型

高速响应型

高温兼容型

超小型

高电压型

其他

服务中心eService

服务中心eService

推荐的 MOS FET 继电器列表半导体测试设备 (ATE)